用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法

专利权的终止

摘要

用于半导体存储器件的TFT，包括第一绝缘层1上形成的第一导电层2、覆盖在其上的第二绝缘层3，第二绝缘层内形成的开口4，在开口4中暴露第一导电层的表面及在第二绝缘层3上预定部分表面形成半导体层5，覆盖在半导体层5上的薄栅极绝缘层6，在其上形成第二导电层7，在半导体层5之第一部分内形成的第一杂质区，在半导体层5之第二部分内形成的第二杂质区，和在半导体层5内第一与第二杂质区间所确定的沟道区5c。

基本信息

专利标题：

用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1073806A

申请号：

CN92105269.3

公开（公告）日：

1993-06-30

申请日：

1992-06-30

授权号：

CN1032286C

授权日：

1996-07-10

发明人：

金长来金汉洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

乔晓东

优先权：

CN92105269.3

主分类号：

H01L29/784

IPC分类号：

H01L29/784 H01L27/11 H01L21/336 G11C11/40

法律状态

2012-09-05 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101322515509
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL921052693
申请日 : 19920630
授权公告日 : 19960710
期满终止日期 : 20120630

2002-06-12 ：

其他有关事项

1996-07-10 ：

授权

1995-02-22 ：

实质审查请求的生效

1993-06-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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