掺铈钛酸钡晶体光折变器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是一系列不同掺铈(Ce)量(5PPm至250PPm)生长的钛酸钡单晶体，可加入10PPm-50000PPm纯度为99.99％的氧化锶SrO(或者不加)。该器件具有良好的光折变性能。用来制作自泵浦相位共轭镜时，共轭光是由背向受激光折变散射自激发所引起，它具有入射角θ宽＜0°＜θ＜80°度入射位置范围大，使用调整简便等一系列优点，并且只需抛光一个入射面即可，畸变像复原保真度高，分辨率可达300线对/毫米，两波耦合指数增益系数可大于25cm-1□□件的制作方法包括，用顶部籽晶熔盐生长技术生长不同掺铈量的钛酸钡单晶，在特定气氛下退火，加工成具有抛光表面单畴化的矩形晶块。它可以是定上述加工方法的一块晶体，也可以是一个包含有不少于一块这种晶体的光量子电子学系统。本发明使用的掺铈的钛酸钡晶体，具有良好的光学品质，光学加工简易，成品率高，光折变性能好，使用方便，调整简易等优点。
基本信息
专利标题 ：
掺铈钛酸钡晶体光折变器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094166A
申请号 ：
CN93104553.3
公开（公告）日 ：
1994-10-26
申请日 ：
1993-04-19
授权号 ：
CN1033248C
授权日 ：
1996-11-06
发明人 ：
朱镛惠梦君吴星杨昌喜王昌庆刘宏斌牛小娟陈应平张劲峰周棠
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市603信箱85分箱
代理机构 ：
中科专利代理有限责任公司
代理人 ：
王幼明
优先权 ：
CN93104553.3
主分类号 ：
G02B1/02
IPC分类号 ：
G02B1/02 G02F1/35 C30B29/32
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/02
由晶体半导体，制成的
法律状态
2001-06-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-11-06 ：
授权
1996-02-14 ：
实质审查请求的生效
1994-10-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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