一种空穴自旋量子比特的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种空穴自旋量子比特的制备方法，该方法包括以下两个步骤：基于CMOS工艺制备倾斜量子阱结构，通过控制倾斜角度以实现生长[110]方向量子阱，量子阱结构为P型掺杂锗量子阱；基于电偶极矩自旋共振(EDSR)技术在量子阱结构中制备二维栅控量子点，以实现高品质空穴自旋量子比特。相比于传统的生长于[100]方向的量子阱，[110]生长方向的量子阱具有最大的线性Rashba自旋轨道耦合效应，能够提供最快的Rabi自旋翻转。本发明通过设计倾斜量子阱，克服了在平面上直接生长[110]量子阱的困难，为实现高品质空穴自旋量子比特提供了一种全新的解决方案。
基本信息
专利标题 ：
一种空穴自旋量子比特的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551228A
申请号 ：
CN202210108114.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
骆军委熊嘉欣刘洋管闪李树深
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜月
优先权 ：
CN202210108114.2
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L29/04 H01L29/12 H01L29/06 H01L29/16 H01L29/66 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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