空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层，能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合金势垒构建锗量子阱的更优方案，该方案在界面量子阱方案的基础上能够继续提升几倍的空穴线性Rashba效应。本发明涉及的锗量子阱结构深度兼容CMOS工艺，获得一个数量级提升的空穴线性Rashba效应将为锗量子点自旋量子比特的快速操控提供全新的解决方案。
基本信息
专利标题 ：
空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530497A
申请号 ：
CN202210116157.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
骆军委熊嘉欣刘洋管闪李树深
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜月
优先权 ：
CN202210116157.5
主分类号 ：
H01L29/66
IPC分类号 ：
H01L29/66
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/66
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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