基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法

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摘要

一种基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法，属于高频电子信息设备技术领域。所述自旋电子天线阵列包括多个阵列排布的自旋电子天线单元以及单元间的电连接导体，所述自旋电子天线单元包括衬底，以及依次形成于衬底之上的低损耗磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，所述磁性薄膜应施加外偏置磁场进行磁化，或者具有自偏置特性，以调节天线的工作频率。本发明自旋电子天线阵列，结构简单，集成度高，易于在多种介质基板上加工制作，接收电磁波频率范围很宽，可通过改变磁性材料种类实现MHz，数GHz至数百GHz频段的电磁波接收，响应速度在ns至ps量级，可广泛应用于5G通信，无线传感网络等电子信息系统中。

基本信息

专利标题：

基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111048894A

申请号：

CN201911277481.X

公开（公告）日：

2020-04-21

申请日：

2019-12-13

授权号：

CN111048894B

授权日：

2022-06-03

发明人：

金立川李之仪张岱南饶毅恒钟智勇李明明白飞明

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

电子科技大学专利中心

代理人：

吴姗霖

优先权：

CN201911277481.X

主分类号：

H01Q1/36

IPC分类号：

H01Q1/36 H01Q1/48 H01Q1/50 H01Q15/24 H01Q21/06