霍尔效应传感器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及霍尔效应传感器。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及三接触霍尔传感器、制造方法和操作模式。该结构包括：多个感测块，其中的每个感测块包括多个接触；第一开关元件，其连接到多个感测块中的第一组感测块；第二开关元件，其连接到多个感测块中的第二组感测块。
基本信息
专利标题 ：
霍尔效应传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114384451A
申请号 ：
CN202111137761.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙永顺卓荣发P·郑
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111137761.8
主分类号 ：
G01R33/07
IPC分类号 ：
G01R33/07
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/07
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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