使用自旋霍尔效应的磁传感器
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摘要

本发明提供了使用自旋霍尔效应的磁传感器及其制造方法。一种此类磁传感器包括:自旋霍尔层,该自旋霍尔层包含导电的非磁性材料;磁性自由层,该磁性自由层与自旋霍尔层相邻;一对推动端子,该一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于自由层和自旋霍尔层的平面的方向上穿过磁性自由层和自旋霍尔层;和一对感测端子,该一对感测端子被配置成感测当电流穿过磁性自由层和自旋霍尔层时的电压,其中推动端子和感测端子中的每一者与其他端子电隔离。

基本信息
专利标题 :
使用自旋霍尔效应的磁传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110418973A
申请号 :
CN201880018984.2
公开(公告)日 :
2019-11-05
申请日 :
2018-03-02
授权号 :
CN110418973B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
Q·勒D·J·西格尔X·刘D·莫里Y·奥恩H·江G·刘D·P·德鲁伊斯特J-L·李
申请人 :
西部数据技术公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
孙尚白
优先权 :
CN201880018984.2
主分类号 :
G01R33/07
IPC分类号 :
G01R33/07  G01R33/09  G01R33/12  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2022-04-29 :
授权
2019-11-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/07
申请日 : 20180302
2019-11-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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