基于自旋阀效应的磁致电阻传感器

专利权的终止

摘要

一种磁致电阻(MR)传感器包括被一薄膜层非磁性金属材料分隔开的一个第一与一个第二磁性材料薄膜层。第一铁磁层是软磁性的，第一磁性材料层的磁化方向在零作用场中是设置成基本上垂直于第二磁性材料层的磁化的，并且第二磁性材料层的磁化方向是固定的。产生通过MR传感器的一个电流，就可感测到跨越该MR传感器的电压变化，这种变化是由于作为一个被感测的磁场的函数由第一磁性材料层中的磁化旋转产生的MR传感器的电阻变化引起的。随第一与第二磁性层之间的磁化角的电阻变化被定义为自旋阀(SV)效应。

基本信息

专利标题：

基于自旋阀效应的磁致电阻传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1062425A

申请号：

CN91110607.3

公开（公告）日：

1992-07-01

申请日：

1991-11-11

授权号：

CN1022142C

授权日：

1993-09-15

发明人：

伯纳德·迪尼布鲁斯·阿尔文·格尼斯蒂文·尤金·兰伯特丹尼尔·莫里斯图尔特·佩沃斯·帕克恩弗吉尔·西蒙·斯贝尔索丹尼斯·理查德·威尔赫特

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

付康

优先权：

CN91110607.3

主分类号：

G11B5/39

IPC分类号：

G11B5/39 H01F10/12