一种基于超磁致伸缩逆效应压力传感器

授权

摘要

本实用新型公开一种基于超磁致伸缩逆效应压力传感器，属于传感器领域。其结构特征为：整体结构为轴对称式圆柱结构，设置有隔磁圆筒，其中心处开有通孔，隔磁圆筒右侧设置为上导磁体；线圈骨架用来绕制偏置线圈且内部安装有超磁致伸缩棒，超磁致伸缩棒右侧安装有导磁垫片，导磁垫片右侧安装有隔磁钢环，隔磁钢环内部粘贴并固定霍尔传感器；超磁致伸缩棒左侧安装导磁块，顶杆分别穿过通孔、预紧弹簧和预紧螺栓，其之间留有微量的间隙，导磁块、上导磁体、圆筒磁轭与下导磁体形成闭合的磁路；预紧螺栓与端盖之间通过螺纹连接固定，端盖与壳体通过内槽螺钉连接固定，其起到保护内部的结构。本实用新型结构紧凑，牢固可靠。

基本信息

专利标题：

一种基于超磁致伸缩逆效应压力传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920684320.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-14

授权号：

CN209589305U

授权日：

2019-11-05

发明人：

崔路飞王传礼喻曹丰熊美俊

申请人：

安徽理工大学

申请人地址：

安徽省淮南市山南新区泰丰大街168号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920684320.1

主分类号：

G01L1/12

IPC分类号：

G01L1/12