一种含硅稠五环的空穴传输材料及其制备方法和应用
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摘要
本发明涉及有机空穴材料技术领域，公开了一种含硅稠五环的空穴传输材料及其制备方法和应用，该有机空穴材料以高度共轭、平面化的含硅稠五环为分子核，甲氧基三苯胺为外围修饰基团，化学结构式为空穴分子平面化的分子构型有助于提升空穴材料间的π‑π堆积作用，增强空穴迁移率和电导率。同时多长烷基链的结构特征赋予空穴传输材料优异的溶剂成膜性。本发明的一种含硅稠五环的空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件短路光电流密度、开路电压和填充因子分别为22.55mA cm‑2，开路电压为1.092V，填充因子0.7685，最总获得了高达18.92％的光电转化效率，显示巨大的商业应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种含硅稠五环的空穴传输材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112778354A
申请号 ：
CN202110111778.X
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2021-01-27
授权号 ：
CN112778354B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
茆平邹于杰刘坤陈珍希邵小琴孙爱武王志辉
申请人 ：
淮阴工学院
申请人地址 ：
江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN202110111778.X
主分类号 ：
C07F7/10
IPC分类号 ：
C07F7/10 H01L51/46 H01L51/42
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/10
含有氮的
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07F 7/10
申请日 : 20210127
申请日 : 20210127
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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