一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用。该类空穴传输材料以吩嗪并二噻吩为分子核，其吸电子特性能有效降低空穴分子的HOMO能级，提高电池器件的开路电压；同时其刚性平面化分子构型显著增强分子间π‑π堆积效应，提升空穴传输性能。本发明合成路线简单、成本低廉，所合成的材料具有高的光热稳定性能。将其应用于钙钛矿太阳能电池，无需掺杂即可获得19.07%的光电转化效率，具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114315856A
申请号 ：
CN202111563227.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈瑾许春晨刘依梦崔景源丁师杰陈静蒋金龙王志辉
申请人 ：
淮阴工学院
申请人地址 ：
江苏省淮安市盱眙县凹土科技产业园都梁香兰大厦
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
姜华
优先权 ：
CN202111563227.3
主分类号 ：
C07D495/14
IPC分类号 ：
C07D495/14 H01L51/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D495/00
杂环化合物，在稠环系中至少有1个杂环具有硫原子作为仅有的杂环原子
C07D495/12
在稠环系中含有3个杂环
C07D495/14
邻位稠合系
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 495/14
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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