一种多层半导体材料结构及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种多层半导体材料结构及制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中半导体材料散热性差、成本高、不能批量生产等问题。一种多层半导体材料结构，包括高导热支撑衬底和结晶化的器件功能层；所述器件功能层设置在所述高导热支撑衬底上，所述器件功能层表面层为单晶结构。
基本信息
专利标题 ：
一种多层半导体材料结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628229A
申请号 ：
CN202011461767.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
母凤文王鑫华黄森魏珂刘新宇
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴利芳
优先权 ：
CN202011461767.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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