半导体装置的导线材料
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种用于半导体装置的导线材料，组成的物质按重量计包括：Ni 0.4至4.0％、Si 0.1至1.0％、Zn 0.05％至1.0％、Mn 0.01至1.0％、Mg 0.001至0.01％以下、Cr 0.001至0.01％以下、S最多高达0.003％、余下的是Cu和不可避免的杂质。此外，这导线材料还可含有高达5ppm的氧及高达5ppm的氢。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的导线材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103501A
申请号 ：
CN85103501.9
公开（公告）日 ：
1986-11-12
申请日 ：
1985-05-03
授权号 ：
CN1003065B
授权日 ：
1989-01-11
发明人 ：
官藤元久松井隆田英和
申请人 ：
株式会社神户制钢所
申请人地址 ：
日本兵库县神户市中央区胁浜町1丁目3-18
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
罗宏
优先权 ：
CN85103501.9
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/48 C22C5/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2000-12-27 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-09-27 ：
授权
1989-01-11 ：
审定
1988-03-30 ：
实质审查请求
1986-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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