半导体纳米导线及包括该纳米导线的半导体装置

专利权的终止

摘要

本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。

基本信息

专利标题：

半导体纳米导线及包括该纳米导线的半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1922720A

申请号：

CN200580005184.X

公开（公告）日：

2007-02-28

申请日：

2005-12-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

斋藤彻川岛孝启

申请人：

松下电器产业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

优先权：

CN200580005184.X

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/786 H01L29/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2018-12-07 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20090513
终止日期 : 20171221

2015-09-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101720561698
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL200580005184X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 株式会社日本有机雷特显示器
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20150820

2009-05-13 ：

授权

2007-04-25 ：

实质审查的生效

2007-02-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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