半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
实质审查的生效
摘要
提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361180A
申请号 ：
CN202111285522.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2016-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
三宅博之冈崎健一保坂泰靖岛行德
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李啸
优先权 ：
CN202111285522.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L27/32
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20161220
申请日 : 20161220
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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