半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极之上的第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜之上的第二绝缘膜、第二绝缘膜之上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极之上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284364A
申请号 ：
CN202111645114.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2017-02-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山崎舜平冈崎健一津吹将志马场晴之重信幸惠肥冢绘美
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN202111645114.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L29/417 H01L29/423 H01L29/49
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170202
申请日 : 20170202
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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