包括绝缘图案的半导体装置
公开
摘要
提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的第一位线。设置掩埋接触件，掩埋接触件设置在第一位线之间并且连接到基底。接合垫设置在掩埋接触件上。第二位线设置在基底的外围区域上。第二位线的上表面和接合垫的上表面彼此共面。第一绝缘图案设置在第二位线之间。第二绝缘图案设置在接合垫之间。设置连接到接合垫的单元电容器。第一绝缘图案包括与第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
包括绝缘图案的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597191A
申请号 ：
CN202110755874.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔祐荣裵熊辉裵珍宇尹彩璘韩成熙许先佑黄德性
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202110755874.8
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/50 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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