包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置
公开
摘要
本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
基本信息
专利标题 ：
包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447220A
申请号 ：
CN202111268571.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁祐荣具本原金充满朴洸珉成河俊安东浩李昌承崔旻雨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
金拟粲
优先权 ：
CN202111268571.X
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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