半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
授权
摘要
提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107683531A
申请号 ：
CN201680029379.6
公开（公告）日 ：
2018-02-09
申请日 ：
2016-05-16
授权号 ：
CN107683531B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
肥塚纯一神长正美岛行德
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN201680029379.6
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L29/04 H01L29/24 H01L21/336 H01L21/34
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2018-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20160516
申请日 : 20160516
2018-02-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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