用于生长薄半导体带的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种用于生长至少一个半导体材料制造的带(40、42)的方法，根据所述方法两个平行并且间隔的丝(24、26)以连续的速度垂直向上经过所述熔化的半导体材料的熔体的表面，由位于所述丝之间的弯月面并且基本上在所述表面的高度处形成所述带(40、42)。根据本发明，支撑条带(22)被设置在所述丝(24、26)之间，所述支撑条带(22)以连续的速度以与所述丝相同的速率垂直向上经过所述熔化的半导体材料的所述表面，所述半导体材料带(40、42)由此被形成在所述支撑条带的两个面中的一个上并且通过所述面被支撑。本发明可以用于制造用于制造光伏电池的多晶硅带。
基本信息
专利标题 ：
用于生长薄半导体带的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128625A
申请号 ：
CN200680005915.5
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·雷米
申请人 ：
索拉尔福尔斯公司
申请人地址 ：
法国鲍尔戈因贾利厄
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN200680005915.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/24 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004079773
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利申请号 : 2006800059155
公开日 : 20080220
号牌文件序号 : 101004079773
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利申请号 : 2006800059155
公开日 : 20080220
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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