一种半导体BPSG膜的生长方法
授权
摘要
一种半导体BPSG膜的生长方法，包括：做BPSG膜的硼磷拉偏实验，获得：当TMB=0，硼含量处于正常值时，测得BSG膜厚度在d1~d2之间；当TMP=0，磷含量处于正常值时，测得PSG膜厚度在d3~d4之间；记录硼磷含量符合要求的BPSG膜的生长数据，按该数据长BPSG膜；超过一定时间T后，需要调整生长数据；再做BPSG膜的硼磷拉偏实验，当TMB=0时，测得BSG膜厚度在d1~d2，记录TMP的具体数值A；当TMP=0时，测得PSG膜厚在d3~d4，记录TMB的具体数值B；于是，获得新的BPSG膜的生长数据。采用本发明的方法，只需要使用一次Rigaku3620设备，之后就不需要了。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体BPSG膜的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351113A
申请号 ：
CN202210245562.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
CN114351113B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
何佳周华强张长沙
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202210245562.7
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/505 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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