用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种生产化合物半导体的方法，它包括一个在化合物半导体的衬底或底层上除去杂质分子的步骤、它在生长外延层之前，将III族分子束或V族分子束投射到化合物半导体的衬底或底层上，以及一个在化合物半导体的衬底或底层上生长III族和V族原子的化合物半导体薄膜层的步骤。
基本信息
专利标题 ：
用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1032884A
申请号 ：
CN88108172.8
公开（公告）日 ：
1989-05-10
申请日 ：
1988-11-23
授权号 ：
CN1009885B
授权日 ：
1990-10-03
发明人 ：
松居祐一
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88108172.8
主分类号 ：
H01L21/203
IPC分类号 ：
H01L21/203 C23C14/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/203
应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射
法律状态
2001-01-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-06-19 ：
授权
1990-10-03 ：
审定
1989-05-17 ：
实质审查请求
1989-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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