晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导...
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摘要
形成晶态氮化镓基材料的方法中，在第一处理温度下于基材上形成第一成核层，然后在第二处理温度下于第一成核层上形成第二成核层，其中第二处理温度不同于第一处理温度，且第一及第二成核层由AlxInyGa (1－x－y) N组成。然后，使基于晶态氮化镓的层外延生长于第二成核层上。
基本信息
专利标题 ：
晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828835A
申请号 ：
CN200610006436.7
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李家铭陈宗良陈怡伶刘育全綦振瀛
申请人 ：
泰谷光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200610006436.7
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00 H01L29/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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