一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置
公开
摘要
本发明提供了一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置，该生长方法采用气相生长以及气相掺杂的方式，不仅可以通过调节组分来提高掺杂浓度，并且气相掺杂还可以保证掺杂的均匀性，且可以使掺杂原子在氮化铝晶体中的浓度接近其固溶上线，总体过饱和蒸汽压和各组分分压实现量化控制；进一步的，在本申请中生成氮化铝晶体时进行双元素掺杂，同时为了掺杂效率以气态形式将掺杂剂通入到生长腔体内，并通过控制Al、N比来辅助提升掺杂效率，增加C的掺杂提高Be、Mg的掺杂效率。
基本信息
专利标题 ：
一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574956A
申请号 ：
CN202210222470.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程章勇杨丽雯张云伟何丽娟李天运
申请人 ：
北京世纪金光半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号院
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张影
优先权 ：
CN202210222470.7
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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