一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。
基本信息
专利标题 ：
一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411236A
申请号 ：
CN202210124257.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭超母凤文
申请人 ：
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
初春
优先权 ：
CN202210124257.2
主分类号 ：
C30B9/08
IPC分类号 ：
C30B9/08 C30B29/36 C30B35/00 G06F30/28 G16C20/70 G16C60/00 G06F111/06 G06F113/08 G06F119/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B9/00
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B9/04
熔融溶液冷却法
C30B9/08
使用其他溶剂的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 9/08
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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