制备半导体化合物薄膜的射频溅射法
授权
摘要
本发明是一种制备高蒸汽压组分的III-V族半导体化合物薄膜的射频溅射方法。为使溅射膜有较好化学计量比，本发明采用合成III-V族化合物块锭或碎料和相应的高蒸汽压五族元素材料一起作为溅射靶并置于溅射室下方。本发明方法可在不同的衬底温度下，得到单晶，多晶或非晶的III-V族半导体化合物薄膜。
基本信息
专利标题 ：
制备半导体化合物薄膜的射频溅射法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100504A
申请号 ：
CN85100504.7
公开（公告）日 ：
1986-08-13
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1012741B
授权日 ：
1991-06-05
发明人 ：
黎锡强
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN85100504.7
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H01L21/203
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1992-02-12 ：
授权
1991-06-05 ：
审定
1989-04-12 ：
驳回申请决定
1987-06-10 ：
实质审查请求
1986-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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