溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法
专利权的终止
摘要
不对有机薄膜造成损伤地在其表面上形成溅镀膜。以遮蔽板103来遮蔽溅射源11～13的框体101的开口，在该开口部107a的两侧配置捕获磁铁1051、1052。在框体101内部配置靶部120，溅镀时，将遮蔽部103连接到接地电位，使电子等负的带电粒子入射到遮蔽部103，而通过了开口部107a的带电粒子则由于捕获磁铁1051、1052形成的磁场而弯曲其飞行方向。在成膜对象物横越溅射源11～13时，带电粒子不入射到成膜对象物表面，因此对有机薄膜的损伤减小。
基本信息
专利标题 ：
溅射源、溅镀装置、薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1993491A
申请号 ：
CN200580025678.4
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
根岸敏夫伊藤正博
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580025678.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 H05B33/10 H01L51/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2021-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20201219
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20091104
终止日期 : 20201219
2009-11-04 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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