一种化合物薄膜、制备方法及其应用
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摘要
本发明涉及材料化学技术领域，公开了一种化合物薄膜、制备方法及其应用，所述化合物薄膜包括碘化铜与金属氧化物的化合物A，所述化合物A的化学式为(CuI)x(MO)1‑x，其中x为CuI的摩尔占比，0.5≤x<1，MO为金属氧化物。其制备方法为将碘化铜和金属氧化物溶解后混合，于衬底上涂布，涂布后经退火处理得到，该化合物薄膜因金属氧化物的加入，能够实现对碘化铜类薄膜的非晶化和载流子浓度调控，利用金属氧化物和碘化铜形成新的薄膜，降低材料的结晶度，形成表面平整的非晶薄膜。该薄膜可用于制备多种光学器件，且性能稳定，应用范围广泛，有望发展成为低功耗器件组件。
基本信息
专利标题 ：
一种化合物薄膜、制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111613521A
申请号 ：
CN202010383523.4
公开（公告）日 ：
2020-09-01
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN111613521B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
梁凌燕吴海娟曹鸿涛俞家欢吴振东
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡红娟
优先权 ：
CN202010383523.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C01G39/00 C03C17/23
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200508
申请日 : 20200508
2020-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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