一种制备薄膜的方法及应用
授权
摘要
本申请公开一种制备薄膜的方法，所述方法向薄膜材料的键合面中进行离子注入，所得离子注入层为曲面；分别对薄膜材料以及衬底材料的键合面进行表面处理，将二者键合；对键合后的键合体进行热处理，使薄膜材料沿呈曲面的离子注入层剥离，可选地，可以对剥离后的薄膜进行抛光等后处理，所述方法能够根据应用的实际需要在衬底上制备具有特定面型参数的薄膜，特别地，基于现有技术的抛光等后处理方式，本申请提供的方法能够制备得到具有校正薄膜的不均匀性，从而提高抛光等后处理所得单晶薄膜的厚度均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种制备薄膜的方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113140450A
申请号 ：
CN202010061165.5
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2020-01-19
授权号 ：
CN113140450B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李真宇张秀全杨超李洋洋张涛
申请人 ：
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
逯长明
优先权 ：
CN202010061165.5
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/18 H01L21/02 H01L41/39
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20200119
申请日 : 20200119
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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