一种GaN薄膜的制备方法、GaN薄膜及其应用
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种GaN薄膜的制备方法，所述方法包括：将预处理的基片用高纯度氮气吹干后放入真空反应腔体内加热至预设温度，并在稳定第一预设时间后，采用300‑3000W功率的远程NH3等离子体对所述基片功能化处理第二预设时间；设定所述GaN薄膜的相关生长参数；向所述真空反应腔体中交替脉冲远程NH3等离子体和镓的有机金属前驱体源，以在所述基片上沉积GaN薄膜，直至所述基片沉积的GaN薄膜达到预设工艺条件后停止沉积；向真空反应腔体通入所述高纯度氮气直至室温，得到所述GaN薄膜；本发明通过改进原子层沉积技术，增加了预处理步骤，改进了NH3等离子体，从而制备出缺陷少，三维均匀性高的GaN薄膜，提高了GaN薄膜的光电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN薄膜的制备方法、GaN薄膜及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381710A
申请号 ：
CN202210058645.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张易军王瑞康任巍叶作光闫天怡
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
苟冬梅
优先权 ：
CN202210058645.5
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 C23C16/50 C23C16/02 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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