异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明涉及一种异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用，其制备方法包括如下步骤：提供透明的异形基体，并将所述异形基体进行活化处理；将活化后的所述异形基体置于银纳米线分散液中，使所述异形基体的表面形成网状结构的银纳米线层，得到预制件，其中，所述银纳米线分散液包括银纳米线、巯基硅氧烷以及极性溶剂；以及，将所述预制件置于多孔二氧化硅分散液中，于所述银纳米线层的表面形成多孔二氧化硅层，得到异形基透明导电薄膜。该制备方法可以在异形基体的表面形成均匀的银纳米线层，并显著提高银纳米线层与异形基体的结合力，同时还能提高异形基透明导电薄膜的透光率，使其能够广泛应用于摄像机等领域。
基本信息
专利标题 ：
异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613546A
申请号 ：
CN202210188205.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑博达陈洁汪聪陈鸿武
申请人 ：
浙江大华技术股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨安路1187号
代理机构 ：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司
代理人 ：
亓一舟
优先权 ：
CN202210188205.1
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 H01B5/14 G03B17/55
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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