一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置，所述制备装置包括磁控靶、样品架和样品挡板，所述磁控靶倾斜设置，所述样品架设在磁控靶的下方，所述样品架的样品台为板状，且内部设有加热器，样品台上方设置样品罩，所述样品罩具有多个样品通孔。所述样品挡板设在样品台的上方，且水平放置，样品挡板包括气缸、转挡轴、支柱、两个转挡连片和两个挡板，所述气缸的活塞连接并能够带动转挡轴做伸缩运动，所述支柱的底部垂直固定在转挡轴上，支柱的顶端同时连接两个转挡连片的前端，两个转挡连片的后端分别连接两个挡板，所述支柱通过两个转挡连片分别带动两个挡板相互靠近或相互远离。
基本信息
专利标题 ：
一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921935891.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN210886210U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
刁训刚秦建平刁诗如
申请人 ：
纳能镀膜丹阳有限公司
申请人地址 ：
江苏省镇江市丹阳市云阳镇南三环路科创园C3楼
代理机构 ：
北京领科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
艾变开
优先权 ：
CN201921935891.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56 C23C14/34 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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