磁控溅射纳米疏水膜制备装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射纳米疏水膜制备装置,包括真空室、蒸发室、真空获得系统、真空计、充气系统、磁控溅射系统、转架和加热丝,所述磁控溅射系统包括偏压电源和磁控溅射阴极,所述偏压电源分别与转架和磁控溅射阴极电连接,所述磁控溅射阴极和真空计安装在真空室上,所述转架和加热丝安装在真空室内,所述蒸发室位于真空室下方,并与真空室通过管道相连通,所述蒸发室内设有电阻蒸发器,所述转架位于磁控溅射阴极与蒸发室之间,所述充气系统和真空获得系统分别与真空室相连接。本实用新型同时具备了磁控溅射镀膜和蒸发镀膜这两种工艺,避免了镀膜过程中基片和镀料需要频繁装卸的问题,提高了镀膜效率和膜层的牢固性。
基本信息
专利标题 :
磁控溅射纳米疏水膜制备装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920781324.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-28
授权号 :
CN209974877U
授权日 :
2020-01-21
发明人 :
钱锋
申请人 :
深圳市天星达真空镀膜设备有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坑梓街道坪山大道6340号A栋厂房101
代理机构 :
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
高之波
优先权 :
CN201920781324.1
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2020-07-03 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20200615
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司
变更后权利人 : 东莞市德派精密机械有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道坪山大道6340号A栋厂房101
变更后权利人 : 523129 广东省东莞市东城街道东城科技工业园东科路38号硅谷动力2025科技园A9栋2楼
登记生效日 : 20200615
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司
变更后权利人 : 东莞市德派精密机械有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道坪山大道6340号A栋厂房101
变更后权利人 : 523129 广东省东莞市东城街道东城科技工业园东科路38号硅谷动力2025科技园A9栋2楼
2020-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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