一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置
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摘要
一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置，首先利用涂胶装置一、涂胶装置二将压印胶苄基硫醇钯均匀涂抹到衬底一、衬底二表面，然后压印装置一、压印装置二分别对衬底一、衬底二进行压印得到带有纵向光栅结构的衬底一、带有横向光栅结构的衬底二，对衬底一进行高温处理一小时使苄基硫醇钯光栅转化为金属钯光栅，然后在压印装置三的作用下横向光栅脱离衬底二，并粘附到纵向光栅上形成叠堆结构，再进行一小时的高温处理使横向苄基硫醇钯光栅转化为金属钯光栅，得到超疏水微结构。本实用新型通过使用辊对辊压印，使用纳米压印与化学相结合的方法制备超疏水微结构，可轻易制备出复合结构，避免衬底多次取放，减少制备时间与对准误差，成本大大降低。
基本信息
专利标题 ：
一种可制备超疏水微结构的纳米压印装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921067339.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN209879250U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
谷岩陈斯康洺硕徐贞潘颜家瑄戴得恩徐宏宇李先耀张昭杰冯开拓易正发刘骜卢发祥段星鑫辛成磊
申请人 ：
长春工业大学
申请人地址 ：
吉林省长春市延安大街2055号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921067339.8
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00 G03F7/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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