制备高通量薄膜的磁控溅射装置
授权
摘要
一种制备高通量薄膜的磁控溅射装置，包括基体、基片台、圆筒、带齿圆环和掩模组件，所述带齿圆环安装在圆筒的上端处，所述掩模组件安装在圆筒的下端处，所述基体位于圆筒内且与带齿圆环可转动连接，基片台安装在基体的底部上，所述基体上设有第一真空电机，第一真空电机的电机轴上设有第一齿轮，所述第一齿轮与带齿圆环的齿形结构啮合，第一真空电机用于驱动基体相对于掩模组件旋转。本实用新型提供了一种制备高通量薄膜的磁控溅射装置，该装置结构简单，适用于小型的磁控溅射镀膜机上，一次抽气完成实验并且不需要进行额外的靶材更换操作，就可以按照不同靶材制备出组分呈连续渐变式梯度分布的三元高通量薄膜。
基本信息
专利标题 ：
制备高通量薄膜的磁控溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922288823.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211771528U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
严飓煜陈健豪周振宇郑秋阳余光磊朴钟宇丁丛张丽慧叶森斌
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号
代理机构 ：
杭州斯可睿专利事务所有限公司
代理人 ：
王利强
优先权 ：
CN201922288823.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50 C23C14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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