一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN...
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摘要
本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。
基本信息
专利标题 ：
一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113135758A
申请号 ：
CN202110323660.3
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2021-03-26
授权号 ：
CN113135758B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
廖春景董绍明靳喜海倪德伟章龙龙林玲顾炎
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN202110323660.3
主分类号 ：
C04B35/58
IPC分类号 ：
C04B35/58 C04B35/622 C04B35/80 C04B35/84 C23C16/36 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/58
申请日 : 20210326
申请日 : 20210326
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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