改进的溶液生长硅薄膜的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种在材料表面涂覆薄膜硅的方法，包括将硅溶于金属溶剂中，然后在沉积温度范围内将溶硅从溶液中析出，在材料表面沉积一层硅。其中的溶剂是一种或多种金属的混合物，该金属或者具有低于沉积温度范围的熔点，或者与金形成共晶体，其低共熔温度低于沉积温度范围。
基本信息
专利标题 ：
改进的溶液生长硅薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037050A
申请号 ：
CN89102140.X
公开（公告）日 ：
1989-11-08
申请日 ：
1989-03-11
授权号 ：
CN1031087C
授权日 ：
1996-02-21
发明人 ：
马丁·安德鲁·格林斯图尔特·罗斯·韦纳姆
申请人 ：
单一检索有限公司
申请人地址 ：
澳大利亚新南威尔士州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89102140.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L31/18 C23C26/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
1997-04-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-02-21 ：
授权
1991-06-26 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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