一种氧化锌的薄膜生长方法
公开
摘要
本发明涉及一种氧化锌的薄膜生长方法，包括以下步骤：选用蓝宝石衬底作为生长ZnO薄膜材料的衬底；将清洗过的衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上；将反应室抽真空至3*10‑3Pa以下，以排净反应室中的空气；充入氮气和氢气的混合气体对衬底进行高温预处理3‑8min，高温预处理的温度为1000℃‑1200℃；将衬底降温到适合ZnO薄膜生长的温度；打开反应室衬底底座旋转开关，使得衬底匀速旋转；在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入锌源和氧源，锌源和氧源在高速选择中转和加热均匀的衬底上会合并反应，在衬底上生长成ZnO薄膜；关闭锌源和氧源载气，待反应室压强升至常压，温度降至常温后从MOCVD设备中取出ZnO薄膜样品。
基本信息
专利标题 ：
一种氧化锌的薄膜生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574961A
申请号 ：
CN202210290120.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
倪明堂赵健州何立波吴俊美
申请人 ：
广东省智能机器人研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖园区学府路1号5栋
代理机构 ：
东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤冠萍
优先权 ：
CN202210290120.4
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B25/16 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
