等离子诱导生长高结晶薄膜电极及薄膜电池的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种等离子诱导生长高结晶的薄膜电极及薄膜电池的制备方法，该制备方法在采用真空物理气相沉积方法制备薄膜电极及薄膜电池的同时，全过程施加定向等离子体流轰击薄膜材料促进薄膜电池集流层、电极层和电解质层高结晶生长。本发明中的制备方法避免了现有技术中必须通过高温退火处理工艺进行薄膜结晶造成的薄膜基底污染、龟裂、工艺兼容性和电化学性能差等问题，突破了现有的技术难题，该方法显著降低了薄膜电极沉积温度，提升电池的低温工艺兼容性；缩短了薄膜电池工序和工时，节约资源降低成本；减小电池的固/固界面阻抗，提升薄膜电池的性能。通过本发明的制备方法可制备出高结晶度薄膜电极以及界面无污染、应力分布均匀的薄膜电池。
基本信息
专利标题 ：
等离子诱导生长高结晶薄膜电极及薄膜电池的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335439A
申请号 ：
CN202111650359.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵宇崔艳华陈勇高晨阳张小强王超崔益秀
申请人 ：
中国工程物理研究院电子工程研究所
申请人地址 ：
四川省绵阳市绵山路64号
代理机构 ：
中国工程物理研究院专利中心
代理人 ：
刘璐
优先权 ：
CN202111650359.X
主分类号 ：
H01M4/139
IPC分类号 ：
H01M4/139 H01M10/052 H01M10/0562 H01M10/058 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/08 C23C14/14 C23C14/24 C23C14/28 C23C14/30 C23C14/34 C23C14/35 C23C14/46
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/139
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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