多晶硅生长炉电极组件结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种多晶硅生长炉电极组件结构。它包括电极座、电极体、绝缘衬套和绝缘座套,电极体套装绝缘衬套和绝缘座套并穿过电极座,电极体的一端套装有压在绝缘衬套外端面上的具有外环槽的陶瓷压环,电极体的另外一端套装压紧环后并压在绝缘座套的外端面上。优点是:不但使得陶瓷压环与电极体、电极座均能达到密封效果,而且简化了电极结构,拆装更换方便清洗及维修且都十分方便,更大限度的保证了电极组件的使用寿命;还避免了有效的改善了陶瓷压环表面的积灰现象,减少了工人拆装清洗时的工作量,解决了陶瓷压环的清洗困难问题,有效延长陶瓷压环的使用寿命,且增大了爬电距离,使其更能有效地保证电极通电的安全、性能以及高效的工作。
基本信息
专利标题 :
多晶硅生长炉电极组件结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022263696.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-12
授权号 :
CN214361834U
授权日 :
2021-10-08
发明人 :
徐昆仑洪钰莫修乾
申请人 :
江苏东方瑞吉能源装备有限公司
申请人地址 :
江苏省镇江市新区临江西路60号
代理机构 :
镇江京科专利商标代理有限公司
代理人 :
夏哲华
优先权 :
CN202022263696.0
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2021-10-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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