本发明公开一种多晶硅生长控制方法，包括：建立快速熔断控制曲线，并写入DCS系统；通过建立数学模型，获取U‑I标准曲线，并写入DCS系统；制定基准供料表并设定在DCS系统上，在生产过程中基于DCS系统采集还原炉运行电流和电压的实时数据，并得到U‑I实时曲线；将U‑I实时曲线和U‑I标准曲线进行对比，并根据U‑I实时曲线中的实际电压和U‑I标准曲线中的标准电压的对比结果对制定的所述基准供料表中的参数进行修正，以使在实际电流达到标准电流时的实际电压达到标准电压，得到最终控制曲线和按所述最终控制曲线生产得到的品质均匀的多晶硅产品。本发明可避免还原炉运行超负荷导致的电气故障，获得品质均匀的多晶硅产品。