锭生长装置及其控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。
基本信息
专利标题 ：
锭生长装置及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277436A
申请号 ：
CN202011403911.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴镇成李京锡李英俊金漌镐
申请人 ：
韩华思路信
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202011403911.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/12 C30B15/02 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20201203
申请日 : 20201203
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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