本发明涉及晶体的生产技术领域，公开一种晶体生长气氛的控制装置及其控制方法。其中晶体生长气氛的控制装置包括：晶体生长组件，其内限定出反应腔；气压测量件，用于检测反应腔内的气压；气体控制组件，与反应腔连通，气体控制组件均包括用于设定通入反应腔的工艺气体的气体流量的气体流量限定件；抽气组件，与反应腔连通，抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，以使反应腔内的气压位于预设气压范围内。本发明公开的晶体生长气氛的控制装置的抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，使得气压测量件检测的反应腔内的气压位于预设气压范围内，提升了晶体的生长质量。