一种多晶硅线宽控制方法及其装置
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种多晶硅线宽控制方法及其装置；通过多级的参数联动机制，以通用的APC（Auto Process Control）提升了线宽控制的精度；在获取多晶硅线宽控制的联动参数集合后，依照制程工艺的需要，分批次进行参数的联动或优化；对于硬掩膜28nm及以下制程中的头对头显影和刻蚀过程中有源区的断路问题给出了有效的解决方案，对于多晶硅结构的氮化硅或金属掩膜及双大马士革等工艺均适用；可有效改善良率、提升线宽控制精度并提升器件电学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅线宽控制方法及其装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361056A
申请号 ：
CN202111519835.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐在峰许进昂开渠任昱
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111519835.4
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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