一种复合薄膜生长装置结构
授权
摘要
本实用新型涉及复合薄膜技术领域，且公开了一种复合薄膜生长装置结构，包括PECVD生长室、MWCVD生长室和MWCVD生长台，所述PECVD生长室上设置有PECVD阴极，所述PECVD生长室上对应PECVD阴极设置有PECVD生长台，所述PECVD生长室和MWCVD生长室之间设置有门阀，所述PECVD生长室的底部设置有插板阀，所述插板阀下方设置有分子泵，所述MWCVD生长室旁设有控制单元和电源，所述MWCVD生长台位于MWCVD生长室中心，所述PECVD室的左侧设置有机械手。本方案的真空镀膜的复合薄膜生长装置结构，通过机械手将两个生长室的样品来回传递，并根据需要沉积不同厚度及合适材料的纳米多层复合膜，从而制备出更新、更高端的复合薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种复合薄膜生长装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921912945.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN211170887U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
邹杨孙蕾邹松东
申请人 ：
洛阳奥尔材料科技有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市涧西区浅井头一街坊7幢2-402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921912945.5
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/511
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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