Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开的Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，将衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置反应室中，反应室抽真空，以锌锂合金为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，在3～5Pa压强下，于400～600℃下进行溅射生长，生长结束后薄膜在Ar气氛下退火。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节靶材中Li的含量和生长气氛中O2∶Ar的不同分压比来控制；在ZnO晶体薄膜生长过程中可以实现受主Li的实时掺杂；由于掺杂元素来自靶材，因此可以实现高浓度掺杂；本发明与V族元素掺杂相比，以金属Li离子替代掺杂具有更浅的受主能级，制得的p－ZnO薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
Li掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1772975A
申请号 ：
CN200510061274.2
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶志镇曾昱嘉吕建国朱丽萍赵炳辉
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510061274.2
主分类号 ：
C30B25/06
IPC分类号 ：
C30B25/06 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/06
反应溅射法的
法律状态
2009-12-23 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-07-25 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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