一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体薄膜与应用，该生长方法包括以下步骤：(1)晶体溶液的制备：在40～100℃下，将具有取向性的高分子材料溶于溶剂中，然后在‑20～10℃下冷藏，得到晶体溶液；(2)有机晶体薄膜的制备：晶体溶液在氮气的作用下，在微流控装置内部形成气流差，带动溶液在微纳米孔道中喷射到衬底表面，形成晶体初级薄膜，干燥后得到有机晶体薄膜。本发明操作简单方便，制备得到的有机晶体薄膜具有生长均匀、边缘规整的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体薄膜与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318546A
申请号 ：
CN202111518511.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡继文李诗唐秋实王晓飞桂雪峰涂园园黄振祝林树东
申请人 ：
国科广化精细化工孵化器（南雄）有限公司;国科广化韶关新材料研究院;国科广化（南雄）新材料研究院有限公司;中科院广州化学有限公司
申请人地址 ：
广东省韶关市南雄市东莞大岭山(南雄)产业转移工业园平安一路3号B区
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
文静
优先权 ：
CN202111518511.9
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 C30B7/06 H01L51/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/54
申请日 : 20211213
申请日 : 20211213
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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