一种Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开的Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法，以高纯N2O为生长气氛，在反应室中电离，N2O为氮掺杂源，在10～20Pa的压强下，以ZnO－Li2O高纯陶瓷片为靶材，在衬底上沉积生成Li－N共掺杂的p型ZnO晶体薄膜。本发明方法在ZnO晶体薄膜生长过程中可以同时实现Li、N的共同实时掺杂，通过调节靶材中Li2O的含量、生长气氛中N2O的压强和电离电压、激光束能量和激光脉冲频率可以调节p型掺杂浓度，制得的p－ZnO薄膜具有良好p型传导特性，电学性能，重复性和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1772974A
申请号 ：
CN200510061273.8
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕建国叶志镇张银珠曾昱嘉朱丽萍赵炳辉
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510061273.8
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 H01L21/203
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2008-12-24 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-05-16 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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