利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利权的终止
摘要
一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。
基本信息
专利标题 ：
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101017776A
申请号 ：
CN200610003072.7
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610003072.7
主分类号 ：
H01L21/203
IPC分类号 ：
H01L21/203 C23C14/35 C23C14/58 C23C14/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/203
应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射
法律状态
2010-06-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101003158120
IPC(主分类) : H01L 21/203
专利号 : ZL2006100030727
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20081008
号牌文件序号 : 101003158120
IPC(主分类) : H01L 21/203
专利号 : ZL2006100030727
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20081008
2008-10-08 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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