化合物薄膜形成装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明的化合物薄膜形成装置，在没于真空槽内的内部槽中设置电场屏蔽板，用以将电子束引出电极及电子束放出机构电位屏蔽，并在该电场屏蔽板与衬底之间设置加速电极。用以偏置电子束引出电极和电子束放出机构为正电位并将反应性气体加速。这样，使放出的电子束集中在反应性气体的通道附近，促进反应性气体的激励、离解或电离，从而能控制在印刷电路衬底上形成的蒸镀薄膜的结晶性和附着力等膜质，具有高速高效率地蒸镀优质薄膜的效果。
基本信息
专利标题 ：
化合物薄膜形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107161A
申请号 ：
CN87107161.4
公开（公告）日 ：
1988-05-11
申请日 ：
1987-10-21
授权号 ：
CN1019513B
授权日 ：
1992-12-16
发明人 ：
伊藤弘基
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
叶凯东
优先权 ：
CN87107161.4
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/22
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1998-12-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-09-22 ：
授权
1992-12-16 ：
审定
1988-05-11 ：
公开
1988-04-27 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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